本發明提供了一種氧化硅陶瓷靶坯的制備方法,所述制備方法包括以下步驟:球磨混合二氧化硅粉、粘結劑和溶劑,得到噴霧造粒用料漿,再對噴霧造粒用料漿進行噴霧造粒得到球形混合粉末;所述球形混合粉末進行裝模、真空熱壓并冷卻得到所述氧化硅陶瓷靶坯;其中,所述真空熱壓包括依次四段升溫和兩段加壓;所述制備方法采用真空熱壓燒結法制備出高純度、高致密度、成材率高的氧化硅靶材,致密度>99%,純度≥99.99%,滿足磁控濺射對靶材純度、密度要求。
聲明:
“氧化硅陶瓷靶坯的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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