本發明涉及半導體技術領域。一種嵌埋式陶瓷基板的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:步驟一,正面金屬層以及背面金屬層預處理;所述正面金屬層包括至少兩層金屬片,至少兩層金屬片包括靠近瓷片的第一金屬片,至少兩層金屬片中除了第一金屬片的其余的金屬片開設有至少一個上下貫穿的貫穿孔;步驟二,將正面金屬層、瓷片以及背面金屬層三者進行真空燒結。所述貫穿孔用于內嵌芯片。本專利通過在正面金屬層上開設有貫穿孔,便于實現了對芯片的限位固定效果。相應的減薄了后期封裝件的厚度。此外,可以實現芯片的熱量從周向向外以及向下區域的金屬層散熱,大大的提高的散熱范圍。
聲明:
“嵌埋式陶瓷基板的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)