本發明涉及一種錫酸鎘靶材及其制備方法,屬于陶瓷靶材技術領域。該錫酸鎘靶材的組成為Cd2SnO4和CdSnO3,其中Cd2SnO4的含量大于95w%。本發明以SnO2粉和CdO粉為原料粉制成的Cd2SnO4單相粉體為原料,采用熱壓燒結工藝,不添加任何添加劑,并且在熱壓工藝中采用兩段式溫度,進行低溫真空燒結,高溫氬氣保護燒結,制得致密的錫酸鎘陶瓷靶材。該靶材中Cd2SnO4含量大于95w%,相對密度達到80~95%,電阻率達到1~6×10-4Ω·cm。
聲明:
“錫酸鎘靶材及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)