本發明屬于新材料制造及應用技術領域,具體涉及一種高純致密氧化鎂靶材及其制備方法。本發明對行星球磨的氧化鎂粉末進行冷等靜壓成型后真空燒結,得到近凈成形高純致密氧化鎂靶材。其中,真空燒結溫度為1400~1550℃,保溫時間為2~10h,真空度為0.1~1.0Pa。該法制備的高純致密氧化鎂靶材的致密度為98.36%以上,雜質元素總含量為100ppm以下,平均晶粒尺寸為7μm以下,尺寸偏差為3.0μm以下,表面粗糙度Ra低于0.4μm。本發明制備的氧化鎂靶材純度和致密度高、晶粒細小均勻,本發明制備方法生產周期短、生產成本低、生產效率高、可批量生產。
聲明:
“高純致密氧化鎂靶材及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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