本發明提供了一種功率芯片雙面燒結的壓接式IGBT模組的制備方法,該方法包括:從下至上將下鉬片、焊片、IGBT芯片、焊片和上鉬片組裝到燒結卡具中;組裝限位銷壓制壓片;用連續真空燒結爐燒結得單芯片燒結連接結構;從下至上依次組裝的塑料框架、彈簧探針和燒結結構,得所述單芯片壓接子模組。本發明提供的制備方法用連續式真空燒結爐,能夠大規模燒結芯片,極大地縮短了工序時長,效率高,速度快;本發明中提供的燒結方法采用的燒結卡具與壓片,解決了芯片與鉬片燒結后的對中問題,并且可以確保燒結后結構的厚度差值可控制在8μm以下。
聲明:
“雙面燒結卡具、壓接式IGBT模塊燒結方法及其制得的子模組” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)