本發明公開了一種量子點植入反射式主動光柵及其制造方法,該方法利用量子點具有優良的光致發光能力,且色度選擇范圍寬的特點,采用壓印工藝,首次將量子點埋入光柵結構中,通過結構設計及量子點種類的選擇,實現量子點所發射光線與光柵反射的光線共同衍射,增強了衍射效果。本發明制作過程為:使用電子束光刻及真空熔鑄法制作量子點及光柵模具,使用壓印工藝制作量子點及光柵微結構圖案,最終形成光柵結構。光柵周期為20nm至20μm,槽寬20nm至20μm,高度為20nm至20μm,光柵微結構形狀為圓柱、正方形、長方形、菱形或六邊形以及梯形等圖形,微結構邊緣與鉛直方向夾角可控,夾角范圍在0至90度之間。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)