本發明屬于冶金資源循環利用技術領域,公開了一種利用多晶硅切割廢料在低溫下制備SiO2?Si3N4復合陶瓷的方法。將多晶硅切割廢料處理至實驗室使用標準,與稀釋劑混合,球磨均勻,通過合理選擇氮化氣氛,控制氮化反應,獲得氮化產物;將氮化產物破碎研磨,并加入SiO2、C、燒結助劑,球磨混勻,冷等靜壓成型制備氨化前樣品;通過合理選擇氨化氣氛,控制氨化反應,獲得SiO2?Si3N4復合陶瓷。本發明的優點在于通過控制粉體組成和氨化條件規避副產物的生成,利用SiO2和C發生的碳熱還原反應有效降低體積效應,最終得到成分均一、性能良好的SiO2?Si3N4復合陶瓷,從而實現了光伏產業鏈廢棄物的資源化利用和陶瓷產業鏈的經濟發展。
聲明:
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