本發明涉及一種方鎂石-碳化硅復合材料及其制備方法。采用的技術方案是:按重量百分含量將60~90%電熔或燒結鎂砂、10~40%碳化硅、外加3~8%的結合劑、0~1%的六次甲基四胺為固化劑,攪拌混合,壓制成型,在110~350℃下烘烤2~24小時。本發明所制備的復合材料既具有高熔點及較高的熱導率,特別是具有自保護氧化特性,即SiC氧化后在SiC顆粒表面形成一層氧化硅保護膜,保護顆粒內部的SiC不被進一步氧化。本發明用SiC取代石墨可大大提高材料的抗氧化性。又由于本發明在結合劑中引入氧化硅溶膠和二氧化硅物粉可以提高材料的中溫強度。該材料可用做冶金爐及容器的內襯。
聲明:
“方鎂石—碳化硅復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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