本發明通過在鎳金屬層上制備針錐錐底直徑為200?500納米、長度為400?1000納米的鎳納米針錐結構層A作為連接面,在銅金屬層制備針錐錐底直徑為200?500納米,針錐長度為400?1000納米的鎳納米針錐結構層B作為連接面,基于納米界面特殊的尺度效應,通過構造納米鍵合層,基于原子擴散實現250攝氏度以下的低溫冶金連接,能夠滿足較高的服役溫度,同時不同尺寸的納米結構鍵合后,會在界面形成柔性多孔連接結構,可以有效吸收服役過程界面熱應力能量,減少界面熱失配缺陷,提升器件服役壽命。該方法操作簡單,與微電子工藝兼容,在各類溫區熱電器件封裝中具有廣泛應用前景。
聲明:
“熱電器件封裝界面及其連接方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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