本申請提供一種鉬合金管靶材及其制備方法和用途,屬于粉末冶金技術領域。該靶材以質量百分比計,包括Ni:10~30%,Ti:5~25%,W:1~20%,Re:0.5~5%,M:0?15%,M為Cr、Zr、Ta、Nb中的至少一種,其中M用于替代部分Ti,余量為Mo和不可避免的雜質,Mo在鉬合金管靶材中的質量百分比含量不低于50%,經冷等靜壓成型、包套、熱等靜壓、擠壓成型、退火等工序制備而成。本申請提供的靶材塑韌性好,變形能力較好,晶粒細小均勻。用本申請制備的靶材濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻,可通過濺射方式附著在電子部件用層疊配線膜的主導電層上形成金屬覆蓋層,用于平面顯示器、薄膜太陽能和半導體裝置等。
聲明:
“鉬合金管靶材及其制備方法和用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)