本發明提供一種半導體器件的制造方法,包括:提供半導體襯底,在所述半導體襯底上形成層間介電層,在所述層間介電層中形成銅金屬互連溝槽或通孔;采用濕法冶金工藝在所述銅金屬互連溝槽或通孔的側壁及底部形成CuMn合金種子層;在所述銅金屬互連溝槽或通孔內填充銅金屬,以形成銅金屬互連結構。根據本發明,可以使形成的CuMn合金種子層不發生懸垂突出現象,以利于后續電鍍銅金屬的實施。
聲明:
“半導體器件的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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