本發明公開了一種多晶硅厚膜的制備方法,該方法將普通的冶金硅經酸洗除雜后,重摻雜硼或者鋁形成p型導電硅,接著采用鑄錠切片工藝得到p型導電硅襯底,然后在該襯底上沉積二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlNx)等薄膜作為介質阻擋層,對該介質阻擋層進行圖形化開孔,該孔穿透介質阻擋層與p型導電硅襯底相連通,最后在介質阻擋層表面在高溫條件下采用化學氣相沉積技術沉積多晶硅厚膜,所沉積的多晶硅厚膜在開孔處與p型導電硅襯底形成電接觸。與現有技術相比,利用本發明的方法能夠得到低成本、大面積、高質量的多晶硅厚膜,可以直接用于現有晶體硅太陽能電池制造生產線,具有重要的應用價值。
聲明:
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