本發明公開了一種具有高熱穩定性和低TCR的富硅Cr-Si基電阻膜及其制備方法,其元素組成及其質量百分比含量為43wt.%Cr,,55wt.%Si,2wt.%Mo;通過粉末冶金法制備Cr-Si-Mo靶材,采用磁控濺射法制備富硅Cr-Si基電阻膜:本底真空為3×10-3Pa,濺射真空為(0.65~5)×10-1Pa,濺射電壓為250~600V,濺射電流為100~300mA,Ar氣流量為15~35sccm,膜沉積時間為1~3h;于500℃下N2中退火2h。本發明的電阻溫度系數為-8~-25ppm/℃;按GJB1929-94標準進行壽命實驗和高溫貯存實驗后,電阻變化率均滿足ΔR/R≤1%,特別適用于精密儀器和高性能集成電路。
聲明:
“具有高熱穩定性和低TCR的富硅Cr-Si基電阻膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)