一種用于最后段制程(FBEOL)半導體器件形成的方法,包括:在半導體晶片(106)的上層中形成終端銅襯墊(104),在所述終端銅襯墊之上形成絕緣疊層(114),以及在所述絕緣疊層的一部分內構圖并開口終端過孔(116)以留下保護所述終端銅襯墊的所述絕緣疊層的底部覆層(118)。在所述絕緣疊層的頂部之上形成并構圖有機鈍化層(126),并去除在所述終端銅襯墊之上的所述底部覆層(118)。在所述有機鈍化層和終端銅襯墊之上淀積球限制冶金(BLM)疊層(128),以及在所述BLM疊層的構圖的部分上形成焊料球連接(108)。
聲明:
“用于去除半導體器件中的鋁終端襯墊材料的方法和結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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