本發明公開了一種低電阻率銅銦鎵硒四元合金濺射靶材及其制備方法,所述靶材包括的物相有Cu(In0.7Ga0.3)Se2,CuInSe2及Cu2Se相, 所述靶材的物相中Cu(In0.7Ga0.3)Se2物相占物相總和的95%以上,CuInSe2和Cu2Se相占總物相的1~5%。本發明的濺射靶材的制備方法包括:粉末制備,粉末混合,粉末冶金燒結等工序,所述粉末制備包括CuIn0.7Ga0.3Se2單相合金粉末的制備,所述CuIn0.7Ga0.3Se2單相合金粉末通過真空反應合成的方法制備,真空度≥10-1Pa,反應溫度在500~700℃,升溫速率不大于5℃/min。本發明的濺射靶,電阻率低,致密度高,晶粒尺寸細小均勻,能夠進行中頻或直流濺射,可大大提高銅銦鎵硒薄膜的濺射速度,同時節約設備投入成本。
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