本發明涉及晶體硅太陽能電池領域,特別是指低純度單晶硅太陽能電池的制造方法,將純度為4N~5.5N的硅片首先進行高溫煅燒,然后進行清洗和表面織構化處理,使硅片表面形成金字塔結構絨面,并采用等離子體增強化學氣相沉積鍍膜厚為0.1-10μm的本征硅膜,再經過晶體硅太陽能電池的常規工藝進行處理,制成低純度單晶硅太陽能電池,克服了4N~5.5N的硅片采用普通晶體硅太陽能電池的制造方法制造的電池漏電流過大而無法使用的缺點,使得冶金法制得的4N~5.5N的硅片可用于制造太陽能電池。
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