本發明提供具有改進的焊接凸塊連接的結構以及制備此類結構的方法。方法包括在電介質層中形成上布線層以及在該上布線層之上沉積一個或更多個電介質層。該方法還包括在一個或更多個電介質層中形成多個延伸到上布線層的離散溝槽。該方法還包括將球限冶金層或凸塊下冶金層沉積于多個離散溝槽中以形成與上布線層接觸的離散金屬島狀體。焊料凸塊被形成為與多個離散的金屬島狀體電連接。
聲明:
“改善半導體器件中的焊料凸塊連接的結構和方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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