本發明公布了一種石墨烯促進光催化半導體硫化礦物細菌浸出的方法,屬于生物冶金技術領域。石墨烯具有導電性好、表面積大、透光性好等優點,能夠促進光生電子轉移,增加光生電子的利用率,從而顯著增加半導體硫化礦物浸出率。嗜酸鐵硫氧化細菌在添加0.2?3?g/L石墨烯,光照條件下浸出半導體硫化礦物。光強6000?12000?Lux添加0.2?3?g/L石墨烯的浸出結果與黑暗不添加石墨烯的浸出結果比較,其浸出率增加了28.9%?49.7%,與光強6000?12000?Lux不添加石墨烯的浸出結果比較,其浸出率增加了3.3%?19.9%。本發明的方法能夠顯著提高半導體硫化礦物浸出率,使得半導體硫化礦物更具有綜合利用價值。
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