一種浮法冶金融熔生長太陽能多晶帶硅及雜質提純方法,涉及光電產業及半導體產業的多晶硅制作。以高純石墨坩堝為液槽,以BI-SI融體為基本母液成分,采用真空電阻爐設備作為整個體系的升溫裝置,通過改變條件,調控調控微觀硅晶體從母液中析出帶硅,然后在惰性氣體保護下采用激光退火、燈光退火、電子束退火、區熔退火等再結晶實驗手段進行處理,改善晶體結構,促使晶粒長大。
聲明:
“浮法冶金熔融析出雜質提純生產太陽能多晶帶硅” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)