一種改善冶金法多晶硅生長界面的方法,包括:(1)將多晶硅硅料裝入高純石英坩堝放入定向凝固爐中,抽真空至爐內真空度< 10Pa;(2)將爐溫升至1450?1550℃,熔化硅料;(3)對硅料外場處理,磁強0.15?0.5T,10?30?min;隨后爐體以5?10℃/min降溫,爐體運動部分以5?10?mm/h下移,硅熔體脫離加熱器長晶,1100?1200℃時關閉磁場;(4)長晶后,爐體運動部分以2?4mm/s上升至爐腔中初始位置,后將溫度升至1250?1350℃,保溫2?5h后冷卻,冷卻速率< 4℃/min。本發明采用外加靜態磁場來調控硅料生長過程中固液界面形態,得到平滑的固液界面,獲得了理想的柱狀晶粒組織,改善了硅錠質量;工藝環境更友好,與企業現有技術兼容,適用于規?;a。
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