本發明涉及半導體用高純鉭靶材的粉末冶金制備方法,尤其是一種用粉末冶金法制備高性能鉭靶材的方法。其特點是,包括如下步驟:(1)將要燒結的鉭粉末裝入模具中;(2)將模具放入電火花燒結爐中對粉末進行放電等離子燒結;(3)燒結結束后,冷卻至不超過160℃后出爐,脫模;(4)對得到的鉭靶坯機械加工成所需尺寸即可。采用本發明的方法可以得到粒度均勻、無織構的內部組織,提高靶材性能,本發明方法還具有燒結溫度低,可快速燒結出致密鉭靶材,靶材內部晶粒均勻細小,無擇優取向等特點。
聲明:
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