一種高溫冶金法制備太陽能級多晶硅的工藝,屬于冶金技術領域,步驟包括將二氧化硅原料和碳質還原劑分別進行酸洗和真空預處理,混合后進行電弧冶煉;在冶煉獲得的硅中加入造渣劑并在攪拌條件下進行爐外精煉,將爐外精煉結束后獲得的硅置于真空感應爐中,抽真空通入保護氣體升溫至1500~1900℃攪拌精煉10~30min,再抽真空至≤0.1Pa,冷卻。該方法可采用現有的常規設備,通過逐步提高純度的方法,采用相對簡單的步驟獲得純度99.9999%以上的高純度多晶硅。本發明的方法能夠產生巨大的經濟效益,具有良好的應用前景。
聲明:
“高溫冶金法制備太陽能級多晶硅的工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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