本發明涉及制造太陽能電池的擴散工藝,尤其是冶金級多晶硅太陽能電池磷擴散工藝,該工藝首先進行高溫晶界吸雜,利用高溫使雜質原子在原沉淀處釋放,同時擴散并移動至晶界缺陷處沉積,在晶界附近形成潔凈區;其次進行中低溫磷沉積,在中低擴散溫下短時間進行淡磷擴散沉積,完成表面低濃度磷沉積,為下步長時間高溫驅入做準備;然后進行高溫深結晶界擴散鈍化,在高溫長時間磷源驅入,形成晶界處的深PN結,使磷在晶界面處會產生磷吸雜及磷漂移場鈍化;最后再進行擴散,調整至所需要的方塊電阻值。本發明利用雜質在多晶硅中擴散的一些特性,可以大大降低本會發生在晶界處的少子復合,工藝完成后硅片少子壽命較正常工藝生產硅片的少子壽命有所提升,對最后電池性能有積極作用。
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