本發明涉及一種提純多晶硅去除硼和金屬雜質的方法,尤其是涉及一種電子束爐熔煉多晶硅除硼和金屬雜質的方法,其特征在于:該方法為首先對硅塊原料進行酸洗、水洗,然后在高溫電阻爐內進行高溫增氧預處理,將處理后的硅料裝入三槍電子束爐內進行熔煉,熔煉結束,待硅錠降溫至室溫,取出硅錠,去掉表皮和底端層,用硬質合金錘輕敲掉鑄錠上端芯部金屬雜質富集的疏松層,即得太陽能級多晶硅;本發明方法獨特、不僅能夠除磷和鈣、鈉等金屬,除硼和鐵、銅等金屬雜質效果也很明顯,除雜效率高,產量大,經濟效果顯著。
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