本發明涉及一種低溫、自組織生長非晶碳雜合單晶納米石墨的制備方法。概括地講,本發明是利用烷烴氣體(優選甲烷)、氬氣(流量比為50:5,單位為標準狀態毫升每分)的等離子體化學氣相沉積過程,在單晶Si(100)襯底上沉積出非晶碳和納米石墨的雜合物,是一種在無金屬催化劑、低能耗的條件下自組織生長非晶碳雜合單晶納米石墨的制備方法。該發明所制備的產物是具有許多小尺寸“條形裂口”,呈現出片狀形貌,且表面較為粗糙的連續薄膜,存在單層或少層納米石墨烯與非晶碳的混合結構。本發明的步驟簡單,易于操作,便于工業化生產,制備出來的雜合納米材料在工業、光學、電子、交通、能源、醫學和軍事等領域具有廣闊的應用前景。
聲明:
“低溫、自組織生長非晶碳雜合單晶納米石墨的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)