本發明公開了一種去除多晶硅中硼、磷等雜質的方法,包括以下步驟:以工業硅為原料,用有機溶劑清洗;將硅塊破碎后,用堿性溶液浸泡;用300-1000℃的氧氣或含氧氣的氣體氧化;加入王水中攪拌處理;加入到氟化氫和氯化氫的混合水溶液中攪拌處理后分離即得。本發明提供的方法為后續工藝提供了優質原料,滿足了生產低成本太陽能級多晶硅的需要,針對性強、流程簡單、投資低、環境友好、操作安全、除雜效果明顯。
聲明:
“去除多晶硅中雜質的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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