一種晶體硅提純集成系統包括:第一破碎裝置、酸洗裝置、原料硅礦熱爐、第二破碎裝置、除碳裝置、電子束熔煉裝置;通過第一破碎裝置將粗硅料破碎,酸洗裝置酸洗破碎料后利用原料硅礦熱爐進行渣洗熔煉以獲得原料硅。第二破碎裝置對原料硅破碎后,除碳裝置煅燒以降低第二破碎裝置生產出的破碎料中的碳含量,電子束熔煉裝置對煅燒后的破碎料進行熔煉除磷及以面積變化的面掃描方式及按照第一預定功率對除磷后的原料進行掃描升溫,利用熔池與結晶的物料之間的固液界面來使雜質不斷的向熔池內匯集、揮發;控制電子束槍以面積不變的面掃描方式且功率逐漸縮小而獲得多晶硅半成品,將多晶硅半成品的底部和頂部雜質富集區鋸切以獲得多晶硅。
聲明:
“晶體硅提純集成系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)