本發明涉及制備三氯氫硅和多晶硅的改進方法和裝置。在多晶硅制備中由氯氫化法來制備三氯氫硅,其包括A)冶金硅在烘粉爐中加熱到300-500℃,然后裝入反應器;B)通過外部加熱裝置將四氯化硅汽化、加熱,形成溫度為160-600℃的四氯化硅氣體;C)通過外部加熱裝置將氯化氫氣體預熱到150-300℃;D)通過加熱器將氫氣預熱到300-600℃;和E)將步驟B)、C)和D)的氣體加入反應器,其中氫氣與四氯化硅的摩爾比為1-5∶1,氯化氫與四氯化硅的摩爾比為1∶1-20,并使反應器保持在400-600℃的溫度和1.0-3.0MPA的壓力。本發明方法能夠成本有效地制備適用于半導體工業和太陽能電池的多晶硅。
聲明:
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