本發明公開了一種綜合利用火法及濕法冶金方法提純多晶硅,特別是采用造渣氧化、真空提純、定向凝固、酸洗相結合將金屬硅中硼、磷、有害金屬等元素去除的聯合流程。該工藝有流程短、成本低、操作簡易等優點。金屬硅(Si?99.5~99.9%、TM?1000~2000ppmw),經過造渣除硼—制粉酸洗—真空定向凝固提純—定向凝固鑄錠等工藝處理后,除去原料金屬硅中硼、磷及金屬雜質元素,并得到方錠形態的6N的太陽能級多晶硅錠產品,其中B≤0.3ppmw、P≤0.5ppmw、TM≤0.2ppmw,電阻率0.5~3Ω·cm,可用于切片的部分≥66%。用該多晶硅錠經開方切片,做成的多晶硅電池片,衰減后轉化率達到16%以上。本發明是一種工業上可大規模實施的低成本、環境污染小、工藝簡單、回收率高、產品質量穩定的冶金法生產太陽能級多晶硅的新方法。
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“生產太陽能級多晶硅的新方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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