本發明涉及一種光電化學冶金提取半導體元素的方法,特別是指碲、鍺、硒、硅、錫、銻和鉍等半導體元素的光電化學提取,屬于濕法冶金技術領域。本發明在電解沉積池內,往陰極引入照射光,通過光電化學沉積,在陰極上得到半導體;電解所用電解液為含半導體元素的導電液體;所述半導體元素包括碲、鍺、硒、硅、錫、銻和鉍中的至少一種;所述照射光中含有能量大于或者等于所沉積半導體帶隙寬度的光子。本發明具有流程短、能耗低、生產效率高、回收率高、成本低、環境友好等優勢,便于大規模工業化生產和應用。
聲明:
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