公開一種利用含硫屬元素的蒸氣形成半導體前體層的高生產量方法。在一種實施方案中,所述方法包括形成包含任何形狀的IB族和/或IDA族顆粒的前體材料。該方法可以包括在襯底表面上形成前體材料的前體層。該方法可以進一步包括在基本上無氧的硫屬元素氣氛中加熱顆粒前體材料至足以使顆粒反應并且從硫屬元素化物顆粒中釋放硫屬元素的處理溫度,其中該硫屬元素呈液體形式而且充當助熔劑以改善元素混合從而形成期望化學計量比的IB-IIIA族硫屬元素化物膜。硫屬元素氣氛可以提供大于或等于處理溫度下前體層中的液體硫屬元素的蒸氣壓的分壓。
聲明:
“利用硫屬元素和金屬間材料的半導體層高生產量形成” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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