本發明公開了一種用于HVPE反應爐的限域生長環及氮化物晶體生長方法。本發明采用鎢、釕和鉬中的一種,或者采用鎢、釕和鉬中的一種的碳化物或氮化物的限域生長環,經過清洗、退火和激活使限域生長環的功能面具備化學活性;將限域生長環置于反應爐生長區中,生長過程中限域生長環對晶體側向生長進行限制,從而阻止晶體的邊緣生長,遏制生長過程中產生邊緣效應,減少生長過程中產生的應力,最終實現厘米級GaN體晶生長;本發明實現方法簡單,根據現有的技術水平能夠容易實現,并大量推廣;限域生長環能夠經過熱清洗后重復使用,節約了限域生長環的制作成本,經濟實用;限域生長環能夠根據不同HVPE反應爐生長區的不同結構進行優化設計,通用性強。
聲明:
“用于HVPE反應爐的限域生長環及氮化物晶體生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)