摻錫冶金多晶硅鑄錠的制備方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種摻錫冶金多晶硅鑄錠的制備方法。該制備方法包括：選擇合適的冶金多晶硅料，要求B<1ppmw,P<1ppmw,B/P重量比為1:0.5～1:3，金屬<1ppmw，電阻率高于0.5Ω·cm,在冶金多晶硅料中摻入微量錫，錫的含量為1～200ppmw，然后在保護氣氛下，生長(cháng)摻錫的冶金多晶硅鑄錠。本發(fā)明方法簡(jiǎn)單，制備的摻錫冶金多晶硅鑄錠少子壽命比未摻錫的冶金多晶硅鑄錠少子壽命顯著(zhù)提高，也比相同條件下用化學(xué)法原生多晶硅制備的常規P型和化學(xué)法原生多晶硅摻錫P型多晶硅鑄錠工藝簡(jiǎn)化，成本降低。摻錫冶金多晶硅鑄錠生產(chǎn)方法與常規鑄錠工藝兼容，成本低，實(shí)用性強，適用于制造低成本，高質(zhì)量的多晶硅太陽(yáng)電池。