冶金級多晶硅摻磷吸雜的方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種冶金級多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中通過(guò)摻磷實(shí)現吸雜目的的方法，主要技術(shù)方案為：將摻磷后的冶金級多晶硅置于赤磷熔點(diǎn)以下溫度300～590℃退火0.5～5小時(shí)，使磷在冶金級多晶硅中分布均勻，然后將冶金級多晶硅置于800～1000℃退火0.5～20小時(shí)。該方法利用磷在高溫半導體內部的擴散，硅晶體中的硅-自間隙原子增多，為金屬雜質(zhì)從替代位置移動(dòng)到間隙位置提供條件，從而加快金屬雜質(zhì)的擴散。最終，在退火過(guò)程中，使金屬雜質(zhì)從位錯、晶界等晶體缺陷處釋放，并擴散到冶金級多晶硅表面而被捕獲，最終到達吸雜的目的。本發(fā)明提供的一種冶金硅磷吸雜方法，摻磷吸雜效果較好、工藝較簡(jiǎn)單、成本較低，適合于工業(yè)化生產(chǎn)。