本發明涉及一種用于冶金級硅電磁懸浮處理的電磁懸浮線圈和方法,屬于電磁懸浮熔煉技術領域。該用于冶金級硅電磁懸浮處理的電磁懸浮線圈,電磁懸浮線圈包括上端線圈和下端線圈;下端線圈與上端線圈為反向串聯繞制,繞匝間距為0.5~1.0mm;所述上端線圈為1~2匝,內徑為16~22mm;所述下端線圈為3~5匝,內徑為16~22mm;所述兩個上、下端線圈之間的間距為10~15mm;所述繞制線圈的材料采用直徑為4~6mm的空心銅導管,繞制線圈的懸浮樣品質量為0.6~1.0g,懸浮樣品初始位置為兩個線圈之間的間距中心位置下5~10mm。本發明通過改變電磁懸浮線圈的結構特性,使半導體材料冶金級硅快速升溫,促使冶金級硅的電導率急劇上升,使其達到感應加熱及懸浮精煉條件。
聲明:
“用于冶金級硅電磁懸浮處理的電磁懸浮線圈和方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)