本發明公開了一種電子束過熱熔煉去除多晶硅中金屬雜質的方法和裝置,屬于冶金領域。所述裝置包括水冷熔煉坩堝,所述水冷銅坩堝采用傾斜式側壁設計,所述水冷銅坩堝內側壁與水冷銅坩堝底夾角為105~120°,所述水冷銅坩堝內設有石墨襯套,所述石墨襯套外表面與水冷銅坩堝內表面貼合,緊配合設計,石墨襯套的底部與水冷銅坩堝底部水平,所述石墨襯套內表面側壁與石墨襯套底夾角為95~100°。在本發明裝置中進行過熱熔煉去除金屬雜質,可減少后續定向凝固以及鑄錠的次數,減少提純工藝,降低生產成本;多晶硅提純電子束過熱熔煉可降低后期定向凝固次數1次以上;多晶硅提純電子束過熱熔煉可降低多晶硅中金屬雜質30%以上。
聲明:
“電子束過熱熔煉去除多晶硅中金屬雜質的方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)