權利要求
1.一種單晶硅的磨削方法，其特征在于：包括，
將硅棒切割分為多個硅片樣本;
硅片樣本的磨削區域為圓形，切割的厚度以制造行業的標準來定，若在集成電路制造中，硅片的厚度在75100微米之間;
若在光伏行業的制造中，硅片的厚度在150微米到200微米(0.15毫米到0.2毫米)之間;
設定硅片樣本的磨削階段，分為磨削準備階段、磨削加工階段與磨削后處理階段;
獲取n個硅片樣本，進行編號，生成硅片樣本集合E，表示為E={，，...，}，其中表示為第i個硅片樣本，n為硅片樣本個數;
將硅片樣本的切割面標記為磨削面，磨削面表面為圓形;
設定投射時間間隔，記為Q;
設置投射光源對磨削面進行投射的角度范圍區間，為[0°，180°];
在磨削面上設置兩條相互垂直的基準線，分別記為基準線P與基準線I;
基準線的交點設置在磨削面的圓心處;
將基準線P標記為縱向線，基準線I標記為橫向線;
在磨削面上，作垂直于縱向線的半圓形截面，標記為截面Z，作垂直于橫向線的半圓截面，標記為截面X;
通過投射光源沿著半圓形截面進行投射，投射方式分為第一投射方式與第二投射方式;
所述第一投射方式為，投射光源沿著截面Z上的邊緣對磨削面進行投射;
所述第二投射方式為，投射光源沿著截面X上的邊緣對磨削面進行投射;
根據兩種投射方式，通過投射光源對磨削面進行投射，獲取第一投射方式與第二投射方式生成的光照分析圖集合，分別記為光照分析圖集合U與光照分析圖集合Y;
所述光照分析圖為，投射光源在某一角度向磨削面進行投射形成的光照區域，該光照區域用于獲取磨削面的凸起區域以及凹陷區域;
凹陷區域由于低于周圍表面，投射光源進行照射時，凹陷的底部無法被直接照亮，導致陰影區域加深，凹陷區域的邊緣較陡，投射光源會在邊緣處聚焦，使得凹陷邊緣出現明亮的高光區域。
2.根據光照分析圖集合U與集合Y，獲取磨削面上的凸起區域與凹陷區域;
在磨削加工階段開始時，針對凸起區域與凹陷區域，執行磨削策略。
3.根據權利要求1所述的單晶硅的磨削
聲明：
“單晶硅的磨削方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：江蘇矽騰半導體材料有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
