權利要求
1.一種鈣鈦礦半導體器件，所述半導體器件采用透明玻璃襯底，其特征在于，所述鈣鈦礦半導體器件的結構自透明玻璃襯底而上依次為：第一透明導電氧化物層、鈣鈦礦層、量子點摻雜層、電子選擇層、電子傳輸層、緩沖層、第二透明導電氧化物層;
所述第一透明導電氧化物層和第二透明導電氧化物層均采用ITO;所述鈣鈦礦層采用CH3NH3PbI3，所述量子點摻雜層采用CdSe量子點進行摻雜;所述電子選擇層采用Bi2Se3薄膜材料。
2.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦半導體器件，其特征在于，所述電子傳輸層為TiO2薄膜，厚度為10-20納米;所述緩沖層為SnO2薄膜，厚度為10-20納米。
3.根據權利要求2所述的一種鈣鈦礦半導體器件，其特征在于，所述Bi2Se3薄膜的厚度為20-50納米。
4.根據權利要求1所述的鈣鈦礦半導體器件，其中，所述量子點摻雜層中CdSe量子點的粒徑范圍為2-5納米，厚度為5-10納米。
5.根據權利要求1所述的鈣鈦礦半導體器件，其中，所述第一透明導電氧化物層和第二透明導電氧化物層的厚度均為100-200納米。
6.根據權利要求1所述的鈣鈦礦半導體器件，其中，所述鈣鈦礦層的厚度為300-800納米。
7.一種如權利要求1至6中任一項所述的鈣鈦礦半導體器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
a)襯底處理：提供透明玻璃襯底，依次在丙酮、乙醇和去離子水中超聲清洗，每次5分鐘，80℃下烘干;
b)第一透明導電氧化物層的沉積：在玻璃襯底上通過射頻磁控濺射法沉積ITO層，濺射功率50W，氬氣流量50sccm，室溫下沉積20-30分鐘;
c)鈣鈦礦層的沉積：在ITO層上通過旋涂法以3000rpm的速度旋涂CH3NH3PbI3溶液，旋涂時間20-30秒，沉積厚度為300-800納米的CH3NH3PbI3溶液，隨后在100℃下退火10分鐘;
d)量子點摻雜層的形成：以2000rpm的速度旋涂2-10秒，將CdSe量子點溶液涂覆于鈣鈦礦層表面，在100℃下退火20分鐘，形成均勻的CdSe量子點摻雜層;
e)電子選擇層的沉積：通過真空熱蒸鍍法在量子點摻雜層上沉積的Bi2Se3層，蒸鍍
聲明：
“鈣鈦礦半導體器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：深圳大學
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2025年07月09日 ~ 11日 
