太陽(yáng)能電池與其制作方法

權利要求書(shū)： 1.一種太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池包括依次疊置的背場(chǎng)層(20)、基層(30)和發(fā)射層(40)，所述背場(chǎng)層(20)與所述發(fā)射層(40)之間具有PN結，所述基層(30)為超晶格結構層，所述超晶格結構層包括多個(gè)疊置的周期結構，各所述周期結構包括疊置的三個(gè)子結構層，三個(gè)所述子結構層中的一個(gè)所述子結構層包括GaAs，另一個(gè)所述子結構層包括InxGa1?xAs，再一個(gè)所述子結構層包括InyGa1?yP，其中，0 沿靠近所述發(fā)射層(40)的方向上，一個(gè)所述周期結構中的三個(gè)所述子結構層依次為第一子結構層(31)、第二子結構層(32)和第三子結構層(33)，包括GaAs的所述子結構層為所述第一子結構層(31)，包括InxGa1?xAs的所述子結構層為所述第二子結構層(32)，包括InyGa1?yP的所述子結構層為所述第三子結構層(33)； 一個(gè)所述周期結構中，包括GaAs的所述子結構層的厚度在2nm～50nm之間，包括InxGa1?xAs的所述子結構層的厚度在1～15nm之間，包括InyGa1?yP的所述子結構層的厚度在2～30nm之間。 2.根據權利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述周期結構有2～200個(gè)，所述基層(30)的厚度在100～5000nm之間。 3.根據權利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，至少部分所述周期結構還包括第四子結構層(34)，所述第四子結構層(34)位于所述第三子結構層(33)的遠離所述第二子結構層(32)的表面上，所述第四子結構層(34)包括InzGa1?zAs，其中，0 4.根據權利要求3所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，各所述周期結構中，包括InyGa1?yP的所述子結構層為第三子結構層(33)，與所述發(fā)射層(40)距離最小的所述周期結構中不包括所述第四子結構層(34)；所述第四子結構層(34)的厚度在1～15nm之間。 5.根據權利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，0.3 6.一種太陽(yáng)能電池的制作方法，用于制作權利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述制作方法包括：在襯底的表面上設置背場(chǎng)層；在所述背場(chǎng)層的遠離所述襯底的表面上疊層設置多個(gè)周期結構，形成基層，各所述周期結構包括疊置的三個(gè)子結構層，各所述周期結構中的三個(gè)所述子結構層中的一個(gè)所述子結構層包括