太陽(yáng)能電池及形成方法

權利要求書(shū)： 1.一種太陽(yáng)能電池的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括隧穿氧化層； 在所述隧穿氧化層表面形成依次堆疊設置的第一半導體層、第二半導體層和第三半導體層，所述第二半導體層內含有第一摻雜元素，所述第一摻雜元素的類(lèi)型為N型或P型； 對所述第一半導體層、所述第二半導體層和所述第三半導體層進(jìn)行第一熱處理，所述第一熱處理適于提高所述第一半導體層的結晶程度以及所述第三半導體層的結晶程度； 在進(jìn)行所述第一熱處理之后，對所述第一半導體層、所述第二半導體層和所述第三半導體層進(jìn)行第二熱處理，以使所述第一摻雜元素向所述第一半導體層以及所述第三半導體層內擴散，使所述第一半導體層轉換為第一鈍化接觸層，所述第二半導體層轉化為第二鈍化接觸層，所述第三半導體層轉化為第三鈍化接觸層，且所述第二熱處理的溫度大于所述第一熱處理的溫度。 2.根據權利要求1所述的太陽(yáng)能電池的形成方法，其特征在于，在進(jìn)行所述第一熱處理之前，所述第一半導體層和所述第三半導體層的材料均為非晶材料；在進(jìn)行所述第一熱處理之后，所述第一半導體層和所述第三半導體層的材料均為多晶材料。 3.根據權利要求1或2所述的太陽(yáng)能電池的形成方法，其特征在于，在進(jìn)行所述第一熱處理之前，所述第一半導體層和所述第三半導體層均為本征半導體層。 4.根據權利要求1或2所述的太陽(yáng)能電池的形成方法，其特征在于，在進(jìn)行所述第一熱處理之前，所述第三半導體層內含有第二摻雜元素，且所述第二摻雜元素的類(lèi)型與所述第一摻雜元素的類(lèi)型相同，且所述第三半導體層內的所述第二摻雜元素的濃度小于所述第二半導體層內所述第一摻雜元素的濃度。 5.根據權利要求1所述的太陽(yáng)能電池的形成方法，其特征在于，在進(jìn)行所述第一熱處理之前，所述第二半導體層內的所述第一摻雜元素的濃度與所述第二半導體層的厚度成正比例關(guān)系，且所述第一半導體層的厚度與所述第二半導體層內的所述第一摻雜元素的濃度成正比例關(guān)系。 6.根據權利要求1所述的太陽(yáng)能電池的形成方法，其特征在于，所述第一熱處理的溫度為600攝氏度～850攝氏度。 7.根據權利要求1所述的太陽(yáng)能電池的形成方法，其特征在于，所述第二熱處理的溫度為850攝氏度～1050攝氏度。 8.一種太陽(yáng)能電池，采用如權利要求1～7中任一項所述的太陽(yáng)能電池的形成方法制備，其特征在