晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法及晶體硅太陽(yáng)能電池

權利要求書(shū)： 1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，依次包括如下步驟：對N型晶體硅片進(jìn)行清洗和制絨處理； 在所述晶體硅片的正面進(jìn)行硼擴散，形成依次層疊的P型發(fā)射極和硼硅玻璃層，用酸溶液去除擴散至所述晶體硅片背面的硼硅玻璃； 在所述晶體硅片的背面制備隧穿氧化層，在所述隧穿氧化層上依次沉積多晶硅層和磷硅玻璃層，用酸溶液或堿溶液去除擴散至所述晶體硅片正面的多晶硅和磷硅玻璃； 通過(guò)高溫退火工藝，將所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層中的磷摻雜到所述晶體硅片背面的多晶硅層和所述晶體硅片中； 用酸溶液去除所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層和正面的硼硅玻璃層； 在所述晶體硅片的正面和背面分別沉積鈍化膜層； 在所述晶體硅片的正面和背面分別制備金屬電極。 2.一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，依次包括如下步驟：對N型晶體硅片進(jìn)行清洗和制絨處理； 在所述晶體硅片的正面進(jìn)行硼擴散，形成依次層疊的P型發(fā)射極和硼硅玻璃層，用酸溶液去除擴散至所述晶體硅片背面的硼硅玻璃； 在所述晶體硅片的背面制備隧穿氧化層，在所述隧穿氧化層上依次沉積多晶硅層和磷硅玻璃層，用酸溶液或堿溶液去除擴散至所述晶體硅片正面的磷硅玻璃； 通過(guò)高溫退火工藝，將所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層中的磷摻雜到所述晶體硅片背面的多晶硅層和所述晶體硅片中； 用酸溶液去除所述晶體硅片背面的磷硅玻璃層、擴散至所述晶體硅片正面的多晶硅和所述晶體硅片正面的硼硅玻璃層； 在所述晶體硅片的正面和背面分別沉積鈍化膜層； 在所述晶體硅片的正面和背面分別制備金屬電極。 3.根據權利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述酸溶液選自硝酸、氫氟酸或其混合物；和/或：所述堿溶液選自氫氧化鈉、氫氧化鉀或其混合物。 4.根據權利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，在所述隧穿氧化層上沉積多晶硅層的方法選自L(fǎng)PCD或PECD。 5.根據權利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，在所述多晶硅層上沉積所述磷硅玻璃層的方法選自L(fǎng)PCD、PECD或擴散沉積法。 6.根據權利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述隧穿氧化層上的多晶硅層的厚度為30～200nm； 所述隧穿氧化層上的多晶硅層的沉積溫度為500～