多孔氧化銅納米線(xiàn)材料及其制備方法與流程

本發(fā)明涉及氧化銅材料技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，它涉及一種多孔氧化銅納米線(xiàn)材料及其制備方法。 背景技術(shù)： 氧化銅納米棒具有表面效應、量子尺寸效應、體積效應和宏觀(guān)量子隧道效應等特性，與普通氧化銅相比，納米尺度賦予了氧化銅納米棒特殊的電學(xué)、光學(xué)、催化等性質(zhì)。氧化銅納米棒的電學(xué)性質(zhì)使其對外界環(huán)境如溫度、濕度、光等條件十分敏感，因此采用納米氧化銅粒子包覆傳感器，可以大大提高傳感器的響應速度、靈敏性和選擇性。納米氧化銅也可作為固體火箭推進(jìn)劑的燃速催化劑，不僅可以提高推進(jìn)劑的燃速，還可以降低壓強指數。在催化方面，納米氧化銅可以很好地光催化降解有機染料。納米氧化銅可作為p型半導體材料，也是一種很好的光敏材料，同時(shí)也被用于玻璃和陶瓷的著(zhù)色劑、尾氣凈化材料、觸點(diǎn)材料等。 然而，目前的氧化銅納米材料一般為單一的納米線(xiàn)結構或納米棒結構，其尺度效應單一，目前已有技術(shù)制備多孔形的氧化銅納米材料，在一定程度上能夠提高其性能，但其多孔孔徑和分布情況難以控制，導致其穩定性較差。因此，如何研究設計一種多尺度效應、穩定性好的孔氧化銅納米線(xiàn)材料及其制備方法是我們目前急需解決的問(wèn)題。 技術(shù)實(shí)現要素： 為解決現有技術(shù)中的不足，本發(fā)明的目的是提供一種多孔氧化銅納米線(xiàn)材料及其制備方法。 本發(fā)明的上述技術(shù)目的是通過(guò)以下技術(shù)方案得以實(shí)現的： 第一方面，提供了一種多孔氧化銅納米線(xiàn)材料，包括純銅基片以及分布在純銅基片表面的多孔結構，多孔結構邊緣、純銅基片表面均形成有氧化銅納米線(xiàn)，多孔結構內部形成有氧化銅納米棒。 進(jìn)一步的，所述氧化銅納米線(xiàn)長(cháng)9-11μm，氧化銅納米棒長(cháng)4-7μm，多孔結構的直徑為0.5-1.2mm。 進(jìn)一步的，所述純銅基片的孔隙率為62-75％。 第二方面，提供了如第一方面中任意一項所述的一種多孔氧化銅納米線(xiàn)材料的制備方法，包括以下步驟： s101：選取厚度為2-4mm的純銅基片，將純銅基片表面用去離子水超聲清洗5-10min，然后放置干燥箱在120-150℃條件下干燥3-5min； s102：將pmma材料通過(guò)超微粉碎機粉碎至平均粒徑為0.5-1.5mm的顆粒，將pmma顆粒平鋪在呈水平狀態(tài)的高壓模具內底面；利用刮板將pmma顆粒平鋪均勻后，將干燥后的純銅基片平放在pmma顆粒上； s103：通過(guò)高壓模具由上而下對純銅基片施壓300-400mpa，施壓時(shí)間為3h； s104：將高