Au@Pt核殼結構納米電極、制備方法及其應用與流程

本發(fā)明屬于材料的制備領(lǐng)域，具體涉及一種au@pt核殼結構納米電極、制備方法及其應用。 背景技術(shù)： 隨著(zhù)科學(xué)技術(shù)和設備的發(fā)展更新，納米電極的發(fā)展越來(lái)越快，利用新的儀器和操作方法，我們可以制備和表征更小尺寸的電極。納米電極一般是指尺寸小于100nm的電極，由于納米電極的臨界尺寸(如：納米盤(pán)電極的半徑，納米孔電極的半徑及深度，納米線(xiàn)電極的長(cháng)度納米帶電極的寬度等)與分子的尺寸接近，因而納米電極在分子研究領(lǐng)域發(fā)展迅速。盡管對納米電極的制作和電化學(xué)研究很多，但大多處于初級階段，還需對其做深入研究。 納米電極具有很多傳統電極所不具備的優(yōu)點(diǎn)，比如背景電流小，傳質(zhì)速率高，ir降低，靈敏度高等，而且電極可作為探針，應用于電化學(xué)成像分析，活體細胞檢測，單細胞分析等。 由于對納米電極的尺寸有嚴格的要求，因此納米電極的制備過(guò)程極具挑戰，在過(guò)去的幾十年里，有很多研究小組用不同的方法制備出了不同形貌的納米電極。martin組利用模板法制備鉑納米陣列電極，在聚碳酸酯模板上用電鍍法或電化學(xué)沉積的方法修飾鉑，制得鉑納米陣列電極，電極尺寸可達100nm。張學(xué)記組用等離子轟擊的方法制備出了納米尺寸的金電極，該方法是將金絲置于等離子轟擊儀中，制得所需尺寸的金絲，然后將金絲穿入毛細管中，封裝后制得納米金電極，電極尺寸可達30nm左右。penner組利用刻蝕-涂層法制得鉑銥合金納米電極，先用電化學(xué)方法或火焰灼燒的方法將金屬絲刻蝕成很細的尖端然后在尖端涂上一層聚合物，通過(guò)升溫的方法使聚合物收縮，尖端露出來(lái)，制得鉑銥合金納米電極，電極尺寸可達10nm。最新關(guān)于納米電極的制備是激光拉制的方法，sun組通過(guò)激光拉制的方法拉制出了鉑納米電極，zhang組通過(guò)將拉制的鉑電極電化學(xué)刻蝕成孔后在孔內沉積金的方法制得金納米電極。 在氯化鈣溶液中對納米盤(pán)電極進(jìn)行刻蝕，可以得到納米孔電極，在氫氟酸溶液中對電極進(jìn)行刻蝕，得到納米線(xiàn)電極。 由于納米電極的尺寸在納米范疇，因此一般用于表征納米粒子的方法都可以用來(lái)表征納米電極。例如掃描電子顯微鏡(scanningelectronmicroscopy,sem)和透射電子顯微鏡(transmissionelectronmicroscopy,tem)，同時(shí)納米電極可用于掃描隧道顯微鏡(scanningtunnelingmicroscope,stm)和原子力顯微鏡(atomicforce