本發明涉及一種半導體器件結構,半導體器件結構包括待測金屬互連線,以及對待測金屬互連線進行短路、斷路失效分析的測試結構,測試結構包含兩個梳狀結構和一個蛇形金屬線,分別屬于兩個梳狀結構的指型結構和蛇形金屬線均與待測金屬互連線位于同一平面內,且所有指型結構通過內部填充有導電材料的若干通孔分別與兩個柄部相連。對本發明的測試結構進行定位短路、斷路失效位置時,首先剝層去除柄部,從而斷開同一組指型結構之間的連接,然后利用雙束顯微鏡對測試結構進行PVC分析,只有與蛇形金屬線發生短路指型結構顯現出高亮狀態,因此能夠立即將短路失效位置定位到某一個具體的指型結構,進而可以提高失效分析的效率。
聲明:
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