本申請涉及IGBT模塊疲勞分析處理方法,包括步驟:建立IGBT模塊的有限元模型;電?熱?結構耦合計算;繪制應變疲勞曲線;計算IGBT模塊的各單元的疲勞損傷值;確定下一次功率循環的有限元模型;建立IGBT模塊的狀態評估模型。這樣,巧妙地設計了IGBT模塊的有限元模型并據此進行累積損傷值的計算及分析,從而能夠準確地得出IGBT模塊疲勞失效機理,解決了傳統數值分析方法無法模擬疲勞裂紋擴展期間物理特性的弊端,以及克服試驗法花費大、難以深入研究模塊全壽命疲勞特性的問題,并且全面考慮IGBT模塊疲勞失效的裂紋萌生期和裂紋擴展期,實現了對IGBT模塊全壽命疲勞的準確模擬分析。
聲明:
“IGBT模塊疲勞分析處理方法及半導體器件處理方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)