本發明公開的一種半導體結構的失效分析方法包括:提供一待測半導體結構,待測半導體結構包括襯底、柵極結構、介質層、互連金屬層和鈍化層,且襯底內形成有阱區、源漏極;去除鈍化層、互連金屬層、介質層以及柵極結構以將源漏極的上表面予以暴露;繼續將源漏極上表面暴露的待測半導體結構放入氫氟酸混合溶液中浸泡以對該待測半導體結構進行染色操作;觀察進行染色操作后的待測半導體結構以對該待測半導體結構進行失效分析;通過該方法不需要對每一個晶體管進行電特性分析的精確定位,而只需要定位出一個小于10um×10um的區域,即可快速確認芯片的失效是否由LDD未有效注入引起,從而降低了失效分析的難度以及失效分析的成本。
聲明:
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