本申請提供一種電學失效分析方法,包括:獲取晶圓的各個失效晶粒的失效日志;根據失效晶粒的失效日志中高頻測試結果和低頻測試結果,確定各個高頻主導失效晶粒和各個低頻主導失效晶粒;獲取當前高頻主導失效權重值;根據各個高頻主導失效晶粒的各個結構層的高頻失效尺寸、各個低頻主導失效晶粒的各個結構層的低頻失效尺寸、當前高頻主導失效權重值和晶圓的各個結構層的設計尺寸,獲取各個結構層的失效偏差值,根據失效偏差值和預定偏差閾值,調整當前高頻主導失效權重值,直至至少一個結構層的失效偏差值滿足預定偏差閾值,獲取與最大的失效偏差值相對應的最大失效影響層。本申請實施例所提供的電學失效分析方法,可以提高電學失效分析的準確性。
聲明:
“電學失效分析方法及相關裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)