本發明公開了一種半導體激光器失效分析方法,該方法包括以下步驟:對半導體激光器從低電壓到高電壓逐級進行ESD測試,通過比較半導體激光器ESD測試前后的光電特性曲線判斷該半導體激光器是否失效,并確定其失效等級;使用高倍光學顯微鏡對失效半導體激光器各部位進行外觀失效檢查,采集并存儲異常部位的圖像;借助SEM觀察所述半導體激光器出光面的損傷細節,采集并儲存相應的圖像;對所述半導體激光器的有源層損傷情況進行測試。半導體器件十分容易受到靜電放電作用而失效,本發明對找到其失效機理進而對器件進行改進,可以準確定位其失效部位,得到失效機理,最終達到改進器件提高性能的目的。
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