本發明提供一種失效分析結構的形成方法,包括:提供基底,并在所述基底上形成第一金屬層;在所述第一金屬層上依次形成第一導電插塞及第二金屬層,所述第二金屬層通過第一導電插塞與第一金屬層依次相連構成串聯結構;在所述第二金屬層上形成第二絕緣層及第二導電插塞,所述第二導電插塞與第二金屬層相連;在所述第二絕緣層上形成測試金屬層,所述測試金屬層通過第二導電插塞與第二金屬層相連。本發明還提供一種失效分析結構及其失效分析方法。本發明失效分析結構和失效分析方法僅需要暴露出測試金屬層,不會損害第二金屬層,提高失效分析結果的準確性。
聲明:
“失效分析結構、其形成方法及其失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)