本發明公開了一種納米Cu3SbS4三元半導體材料的制備方法。將高純Cu、Sb與S粉末的混合物作為原材料密封在球磨罐,球磨罐密封后放入在手套箱里,充滿惰性氣體除去原材料中的氧氣;將球磨罐安裝在球磨磨機上球磨,調整球磨機馬達的運轉速率為1200r/min以上,粉末5h后納米Cu3SbS4三元半導體材料生成。所制得的四硫銻三銅納米晶化學成分均勻、結構單一,表面沒有雜質等覆蓋物,很好的顯示了材料的本征物理性能。由于其良好的光電性能,使其能成為一種可實用化的光電器件材料,如可用于紅外探測、紅外遙感、夜視儀等領域。此外具有制備工藝簡單、原料易得且價格便宜、屬于對環境友好型,且可實現大批量生產等優點。
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